Лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники приглашает магистрантов и аспирантов для проведения НИР в области перспективной компонентной базы наноэлектроники.
Основные направления работ:
- Энергонезависимая сегнетоэлектрическая память (FRAM, FeRAM, FeFET).
- Энергонезависимая память на эффекте резистивного переключения (ReRAM).
- Мемристоры для нейроморфных вычислений (аппаратная реализация нейронных сетей).
Лаборатория призвана заниматься, прежде всего, экспериментальными исследованиями физических эффектов в наноразмерных структурах на основе неорганических материалов, которые могут быть использованы для разработки компонентной базы электроники следующего поколения.
Лаборатория базируется в МФТИ и оснащена современным технологическим и аналитическим оборудованием, включая систему электронно-лучевой литографии с минимальным гарантированным разрешением в 10 нм, установки атомно-слоевого осаждения с точностью формирования функциональных слоев в один монослой и т.д.
Финансирование лаборатории обеспечено за счет контрактов с промышленностью (ОАО НИИМЭ и Микрон), программы 5ТОП100 МФТИ, грантов РНФ.
Предлагаемый уровень вознаграждения:
- студенты 5 курса – от 20 000 руб.
- студенты 6 курса – от 30 000 руб.
- аспиранты – от 45 000 руб.
Образовательный процесс обеспечивает кафедра нанометрологии и наноматериалов ФФКЭ.
Желающим принять активной участие в работе лаборатории необходим предоставить резюме и пройти собеседование.
Контакты для оперативной связи:
Зав. лаб.: Зенкевич Андрей Владимирович, zenkevich.av@mipt.ru, т. 8-903-687-49-45;
Зайцев Сергей Аркадьевич 8-926-282-36-00;